Transistors. Page 81 sur 114. Avtronic

Transistor IRFP31N50L

23.41€ TTC

28 En stock

Transistor IRFP31N50L N-MOS 500V 31A/124Ap. 460W 0.15R (20A). HEXFET POWER MOSFET. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A. Rds (Ohms): 0.15.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3206

10.08€ TTC

64 En stock

Transistor IRFP3206 N-MOS 60V 120A 280W RDS(on) typ. 2.4mohm. HEXFET Power MOSFET. Idm: 840A(pulsed). td(on)19nS. td(off)55nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 120 A. Puissance: 280 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP350

10.30€ TTC

29 En stock

Transistor IRFP350 N-MOS 400V 16A 190W <0.3R(9.6A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9.6 A. Rds (Ohms): 0.3. Puissance: 190 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP360

11.54€ TTC

9 En stock

Transistor IRFP360 N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP360LC

10.42€ TTC

121 En stock

Transistor IRFP360LC N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3710

8.79€ TTC

11 En stock

Transistor IRFP3710 N-MOS 100V 57A 200W<0.026R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.026.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3710N

8.90€ TTC

4 En stock

Transistor IRFP3710N N-MOS 100V 51A 180W<0.023R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.023.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4227

10.81€ TTC

41 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 65A/260Ap. 330W 0.021R (46A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFP4227PBF. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247AC. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 200V. Id(T:25): 65A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 46A. Id(imp): 260 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 1mA. Vgs

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4232

27.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP4232 N-MOS 250V 60A/240Ap. 430W 0.03R(42A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 240Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4242

29.46€ TTC

1 En stock

Transistor IRFP4242 N-MOS 300V 46A/190Ap. 430W 0.047R (33A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 190Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 300 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 46 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 33 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4332

14.06€ TTC

154 En stock

Transistor IRFP4332 N-MOS 250V 57A/230Ap. 360W 0.029R(40A). HEXFET Power-MOSFET. Idm: 230App. PDP SWITCH. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP450

8.12€ TTC

118 En stock

Transistor IRFP450 N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.4.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP450LC

11.03€ TTC

25 En stock

Transistor IRFP450LC N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.6A). HEXFET Power MOSFET. Ultra low Gate Charger. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.6 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP4568PBF

27.05€ TTC

35 En stock

Transistor MOSFET canal-N 150V 171A/684Ap 517W. Résistance passante RDSon : 0.0048 Ohms (121A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP460

10.81€ TTC

99 En stock

Transistor IRFP460 N-MOS 500V 20A 280W <0.27R(13A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous R. Idm: 80A(pulsed). td(on)18nS. td(off)110nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP460C

12.32€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP460C N-MOS 500V 20A 235W <0.2R(12.5A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 80A(pulsed). td(on)50nS. td(off)380nS. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4668

30.74€ TTC

68 En stock

Transistor IRFP4668 N-MOS 200V 130A 520W 0.008R(92A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4710

9.18€ TTC

21 En stock

Transistor IRFP4710 N-MOS 100V 72A 190W<0.014R(51A). HEXFET TO247. Power-MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: HighFrequency. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 72 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 51 A. Rds (Ohms): 0.014.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP90N20D

17.98€ TTC

46 En stock

Transistor IRFP90N20D N-MOS 200V 94A 580W<0.023R(66A). HEXFET Power MOSFET. SMPS MOSFET. HighFrequenc. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 94 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 66 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP9140N

5.94€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W. Résistance passante (Rds)<0.117 Ohm. Boîtier: TO-247AC.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP9240

6.33€ TTC

88 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 150W. Résistance passante (Rds): 0.57 Ohm. Paire: IRFP240. Boîtier: TO-247AC.

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRFP31N50L

Transistor IRFP31N50L N-MOS 500V 31A/124Ap. 460W 0.15R (20A). HEXFET POWER MOSFET. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A. Rds (Ohms): 0.15.

Transistor IRFP3206

Transistor IRFP3206 N-MOS 60V 120A 280W RDS(on) typ. 2.4mohm. HEXFET Power MOSFET. Idm: 840A(pulsed). td(on)19nS. td(off)55nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 120 A. Puissance: 280 W

Transistor IRFP350

Transistor IRFP350 N-MOS 400V 16A 190W <0.3R(9.6A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9.6 A. Rds (Ohms): 0.3. Puissance: 190 W

Transistor IRFP360

Transistor IRFP360 N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Transistor IRFP360LC

Transistor IRFP360LC N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Transistor IRFP3710

Transistor IRFP3710 N-MOS 100V 57A 200W<0.026R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.026.

Transistor IRFP3710N

Transistor IRFP3710N N-MOS 100V 51A 180W<0.023R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.023.

Transistor IRFP4227

Transistor IRFP4232

Transistor IRFP4232 N-MOS 250V 60A/240Ap. 430W 0.03R(42A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 240Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A.

Transistor IRFP4242

Transistor IRFP4242 N-MOS 300V 46A/190Ap. 430W 0.047R (33A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 190Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 300 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 46 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 33 A.

Transistor IRFP4332

Transistor IRFP4332 N-MOS 250V 57A/230Ap. 360W 0.029R(40A). HEXFET Power-MOSFET. Idm: 230App. PDP SWITCH. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

Transistor IRFP450

Transistor IRFP450 N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.4.

Transistor IRFP450LC

Transistor IRFP450LC N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.6A). HEXFET Power MOSFET. Ultra low Gate Charger. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.6 A.

Transistor MOSFET canal-N IRFP4568PBF

Transistor MOSFET canal-N 150V 171A/684Ap 517W. Résistance passante RDSon : 0.0048 Ohms (121A)

Transistor IRFP460

Transistor IRFP460 N-MOS 500V 20A 280W <0.27R(13A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous R. Idm: 80A(pulsed). td(on)18nS. td(off)110nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor IRFP460C

Transistor IRFP460C N-MOS 500V 20A 235W <0.2R(12.5A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 80A(pulsed). td(on)50nS. td(off)380nS. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor IRFP4668

Transistor IRFP4668 N-MOS 200V 130A 520W 0.008R(92A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A.

Transistor IRFP4710

Transistor IRFP4710 N-MOS 100V 72A 190W<0.014R(51A). HEXFET TO247. Power-MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: HighFrequency. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 72 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 51 A. Rds (Ohms): 0.014.

Transistor IRFP90N20D

Transistor IRFP90N20D N-MOS 200V 94A 580W<0.023R(66A). HEXFET Power MOSFET. SMPS MOSFET. HighFrequenc. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 94 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 66 A.

Transistor IRFP9140N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W. Résistance passante (Rds)<0.117 Ohm. Boîtier: TO-247AC.

Transistor IRFP9240

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 150W. Résistance passante (Rds): 0.57 Ohm. Paire: IRFP240. Boîtier: TO-247AC.

Aide

Renseignements

Boutique

Mon compte

Restons en contact